Infineon CoolSiC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 750 V / 64 A 273 W, 22-Pin AIMDQ75R027M1HXUMA1 PG-HDSOP-22

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RS Best.-Nr.:
348-931
Herst. Teile-Nr.:
AIMDQ75R027M1HXUMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

64A

Drain-Source-Spannung Vds max.

750V

Gehäusegröße

PG-HDSOP-22

Serie

CoolSiC

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

22

Drain-Source-Widerstand Rds max.

36mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

49nC

Maximale Verlustleistung Pd

273W

Gate-Source-spannung max Vgs

23 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
MY
Der Infineon 750 V CoolSiC MOSFET basiert auf der soliden Siliziumkarbid-Technologie, die Infineon in mehr als 20 Jahren entwickelt hat. Der 750V CoolSiC MOSFET nutzt die Eigenschaften des Wide BandgapSiC-Materials und bietet eine einzigartige Kombination aus Leistung, Zuverlässigkeit und Benutzerfreundlichkeit. Er eignet sich für hohe Temperaturen und raue Betriebsbedingungen und ermöglicht eine vereinfachte und kosteneffiziente Bereitstellung von Systemen mit höchster Effizienz.

Proprietäre Die-Attach-Technologie von Infineon

Treiberquellen-Pin verfügbar

Erhöhte Robustheit und Zuverlässigkeit für Busspannungen über 500 V

Hervorragende Effizienz bei harten Schaltvorgängen

Höhere Schaltfrequenz in weich schaltenden Topologien

Robustheit gegen parasitäres Einschalten bei unipolarer Gate-Ansteuerung

Klassenbeste Wärmeableitung

Geringere Schaltverluste durch verbesserte Gate-Steuerung

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