Infineon CoolSiC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 750 V / 173 A 625 W, 22-Pin IMDQ75R008M1HXUMA1 PG-HDSOP-22

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RS Best.-Nr.:
349-329
Herst. Teile-Nr.:
IMDQ75R008M1HXUMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

173A

Drain-Source-Spannung Vds max.

750V

Serie

CoolSiC

Gehäusegröße

PG-HDSOP-22

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

22

Drain-Source-Widerstand Rds max.

10.6mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

178nC

Maximale Verlustleistung Pd

625W

Gate-Source-spannung max Vgs

23 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
MY
Der Infineon 750 V CoolSiC MOSFET G1 basiert auf Infineons massiver Siliziumkarbid-Technologie, die in mehr als 20 Jahren entwickelt wurde. Durch die Nutzung der Eigenschaften von SiC-Materialien mit breiter Bandlücke bietet der 750 V CoolSiC MOSFET eine einzigartige Kombination aus Leistung, Zuverlässigkeit und Benutzerfreundlichkeit. Dieser MOSFET ist so konzipiert, dass er hohen Temperaturen und rauen Betriebsbedingungen standhält und somit ideal für anspruchsvolle Anwendungen ist. Er ermöglicht den vereinfachten und kostengünstigen Einsatz von Systemen mit hohem Wirkungsgrad, die den wachsenden Anforderungen der Leistungselektronik in schwierigen Umgebungen gerecht werden.

Proprietäre Die-Attach-Technologie von Infineon

Modernes Kühlpaket für die Oberseite

Treiberquellen-Pin verfügbar

Verbesserte Robustheit, um Busspannungen von über 500 V standzuhalten

Hervorragende Effizienz bei harten Schaltvorgängen

Höhere Schaltfrequenz in weich schaltenden Topologien

Robustheit gegen parasitäres Einschalten bei unipolarer Gate-Ansteuerung

Klassenbeste Wärmeableitung

Geringere Schaltverluste durch verbesserte Gate-Steuerung

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