Infineon CoolSiC Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 2000 V / 26 A 217 W, 4-Pin PG-TO-247-4-PLUS-NT14
- RS Best.-Nr.:
- 349-114
- Herst. Teile-Nr.:
- IMYH200R100M1HXKSA1
- Marke:
- Infineon
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 26A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 2000V | |
| Serie | CoolSiC | |
| Gehäusegröße | PG-TO-247-4-PLUS-NT14 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 142mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 55nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 217W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 26A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 2000V | ||
Serie CoolSiC | ||
Gehäusegröße PG-TO-247-4-PLUS-NT14 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 142mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 55nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 217W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MY
Der Infineon CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET ist ein Hochleistungs-Siliziumkarbid-MOSFET mit .XT-Verbindungstechnologie für verbesserte thermische und elektrische Leistung. Mit einer Benchmark-Gate-Schwellenspannung (VGS(th)) von 4,5 V bietet er zuverlässiges und effizientes Schalten und ist damit ideal für Hochspannungsanwendungen geeignet. Dieser MOSFET bietet eine überragende Leistung und gewährleistet auch in anspruchsvollen Umgebungen einen hervorragenden Wirkungsgrad und einen robusten Betrieb.
Sehr geringe Schaltverluste
Robuste Body-Diode für harte Kommutierung
RoHS-Konformität
Halogenfrei
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