Infineon CoolSiC Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 2000 V / 26 A 217 W, 4-Pin PG-TO-247-4-PLUS-NT14

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RS Best.-Nr.:
349-114
Herst. Teile-Nr.:
IMYH200R100M1HXKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

26A

Drain-Source-Spannung Vds max.

2000V

Serie

CoolSiC

Gehäusegröße

PG-TO-247-4-PLUS-NT14

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

142mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

55nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

217W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
MY
Der Infineon CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET ist ein Hochleistungs-Siliziumkarbid-MOSFET mit .XT-Verbindungstechnologie für verbesserte thermische und elektrische Leistung. Mit einer Benchmark-Gate-Schwellenspannung (VGS(th)) von 4,5 V bietet er zuverlässiges und effizientes Schalten und ist damit ideal für Hochspannungsanwendungen geeignet. Dieser MOSFET bietet eine überragende Leistung und gewährleistet auch in anspruchsvollen Umgebungen einen hervorragenden Wirkungsgrad und einen robusten Betrieb.

Sehr geringe Schaltverluste

Robuste Body-Diode für harte Kommutierung

RoHS-Konformität

Halogenfrei

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