Infineon IPT Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-Transistor Erweiterung 135 V / 297 A 39 W, 8-Pin PG-HSOF-8
- RS Best.-Nr.:
- 349-120
- Herst. Teile-Nr.:
- IPT020N13NM6ATMA1
- Marke:
- Infineon
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| 20 - 198 | 4,645 € | 9,29 € |
| 200 - 998 | 4,28 € | 8,56 € |
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- RS Best.-Nr.:
- 349-120
- Herst. Teile-Nr.:
- IPT020N13NM6ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | Leistungs-Transistor | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 297A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 135V | |
| Gehäusegröße | PG-HSOF-8 | |
| Serie | IPT | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 39W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 159nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | IEC61249-2-21, J-STD-020, RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ Leistungs-Transistor | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 297A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 135V | ||
Gehäusegröße PG-HSOF-8 | ||
Serie IPT | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 39W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 159nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen IEC61249-2-21, J-STD-020, RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MY
Der OptiMOS 6 Leistungstransistor von Infineon ist ein n-Kanal-MOSFET mit normalem Pegel, der für effiziente Leistungsschaltanwendungen entwickelt wurde. Er bietet einen sehr niedrigen Einschaltwiderstand (RDS(on)), wodurch Leitungsverluste reduziert und die Gesamtleistung verbessert wird. Mit einem ausgezeichneten Gate-Ladung x RDS(on)-Produkt (FOM) sorgt er für eine hervorragende Schalteffizienz. Der MOSFET zeichnet sich außerdem durch eine sehr niedrige Sperrverzögerungsladung (Qrr) aus, die eine bessere Effizienz bei Schaltvorgängen ermöglicht.
Optimiert für Motorantriebe und batteriebetriebene Anwendungen
Pb-freie Bleibeschichtung
RoHS-Konformität
Halogenfrei gemäß IEC61249-2-21
MSL 1 klassifiziert nach J-STD-020
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