Infineon IPT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 135 V / 297 A 395 W, 16-Pin PG-HSOF-16
- RS Best.-Nr.:
- 349-133
- Herst. Teile-Nr.:
- IPTC020N13NM6ATMA1
- Marke:
- Infineon
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- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 297A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 135V | |
| Serie | IPT | |
| Gehäusegröße | PG-HSOF-16 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 16 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 159nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 395W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | IEC61249-2-21 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 297A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 135V | ||
Serie IPT | ||
Gehäusegröße PG-HSOF-16 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 16 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 159nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 395W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen IEC61249-2-21 | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MY
Der Infineon OptiMOS 6 Leistungstransistor, 120 V ist ein n-Kanal-MOSFET mit normalem Pegel, der für hoch entwickelte Leistungsanwendungen entwickelt wurde. Er bietet einen sehr niedrigen Einschaltwiderstand (RDS(on)), wodurch Leitungsverluste reduziert und die Effizienz erhöht werden. Der MOSFET verfügt über ein ausgezeichnetes Gate-Ladung x RDS(on)-Produkt (FOM) für eine hervorragende Schaltleistung. Er zeichnet sich außerdem durch eine sehr niedrige Sperrverzögerungsladung (Qrr) aus, wodurch die Effizienz bei Schaltvorgängen optimiert wird. Mit einer hohen Avalanche-Energieleistung gewährleistet er Zuverlässigkeit unter anspruchsvollen Bedingungen und arbeitet effektiv bei 175 °C, was ihn ideal für Umgebungen mit hohen Temperaturen macht.
Optimiert für Hochfrequenzschaltung und Synchrongleichrichtung
Pb-freie Bleibeschichtung
RoHS-Konformität
Halogenfrei gemäß IEC61249-2-21
MSL 1 klassifiziert nach J-STD-020
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