Infineon IPT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 135 V / 297 A 395 W, 16-Pin PG-HSOF-16
- RS Best.-Nr.:
- 349-133
- Herst. Teile-Nr.:
- IPTC020N13NM6ATMA1
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stück)*
10,03 €
(ohne MwSt.)
11,94 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- 1.796 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 9 | 10,03 € |
| 10 - 99 | 9,03 € |
| 100 - 499 | 8,33 € |
| 500 - 999 | 7,73 € |
| 1000 + | 6,92 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 349-133
- Herst. Teile-Nr.:
- IPTC020N13NM6ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 297A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 135V | |
| Serie | IPT | |
| Gehäusegröße | PG-HSOF-16 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 16 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 395W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 159nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | IEC61249-2-21 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 297A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 135V | ||
Serie IPT | ||
Gehäusegröße PG-HSOF-16 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 16 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 395W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 159nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen IEC61249-2-21 | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MY
Der Infineon OptiMOS 6 Leistungstransistor, 120 V ist ein n-Kanal-MOSFET mit normalem Pegel, der für hoch entwickelte Leistungsanwendungen entwickelt wurde. Er bietet einen sehr niedrigen Einschaltwiderstand (RDS(on)), wodurch Leitungsverluste reduziert und die Effizienz erhöht werden. Der MOSFET verfügt über ein ausgezeichnetes Gate-Ladung x RDS(on)-Produkt (FOM) für eine hervorragende Schaltleistung. Er zeichnet sich außerdem durch eine sehr niedrige Sperrverzögerungsladung (Qrr) aus, wodurch die Effizienz bei Schaltvorgängen optimiert wird. Mit einer hohen Avalanche-Energieleistung gewährleistet er Zuverlässigkeit unter anspruchsvollen Bedingungen und arbeitet effektiv bei 175 °C, was ihn ideal für Umgebungen mit hohen Temperaturen macht.
Optimiert für Hochfrequenzschaltung und Synchrongleichrichtung
Pb-freie Bleibeschichtung
RoHS-Konformität
Halogenfrei gemäß IEC61249-2-21
MSL 1 klassifiziert nach J-STD-020
Verwandte Links
- Infineon IPT Typ N-Kanal 8-Pin IPTG020N13NM6ATMA1
- Infineon IPT Typ N-Kanal 8-Pin IPT020N13NM6ATMA1
- Infineon IPT Typ N-Kanal 8-Pin PG-HSOF-8
- Infineon IPT Typ N-Kanal 8-Pin PG-HSOF-8
- Infineon IPT Typ N-Kanal 8-Pin IPT60T040S7XTMA1 PG-HSOF-8
- Infineon IPT Typ N-Kanal 8-Pin IPT60R180CM8XTMA1 PG-HSOF-8
- Infineon IPT Typ N-Kanal 8-Pin IPT129N20NM6ATMA1 PG-HSOF-8
- Infineon IPT Typ N-Kanal 8-Pin IPT012N06NATMA1 PG-HSOF-8