Infineon IPT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 200 V / 87 A 234 W, 8-Pin PG-HSOF-8

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RS Best.-Nr.:
349-132
Herst. Teile-Nr.:
IPT129N20NM6ATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

87A

Drain-Source-Spannung Vds max.

200V

Gehäusegröße

PG-HSOF-8

Serie

IPT

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

12.9mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

37nC

Maximale Verlustleistung Pd

234W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

IEC61249-2-21, JEDEC, J-STD-020, RoHS

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
MY
Der Infineon OptiMOS 6 Leistungstransistor, 200 V ist ein n-Kanal-MOSFET mit normalem Pegel, der für hocheffiziente Leistungsanwendungen entwickelt wurde. Er zeichnet sich durch einen sehr niedrigen Einschaltwiderstand (RDS(on)) aus, wodurch Leitungsverluste minimiert werden. Das exzellente Gate-Ladung x RDS(on)-Produkt (FOM) sorgt für eine hervorragende Schaltleistung, während die sehr niedrige Sperrverzögerungsladung (Qrr) zu einem effizienten Betrieb beiträgt. Mit einer hohen Avalanche-Energieleistung bietet er eine verbesserte Robustheit und kann bei 175°C betrieben werden, was ihn auch in rauen Umgebungen zuverlässig macht.

Pb-freie Bleibeschichtung

RoHS-Konformität

Halogenfrei gemäß IEC61249-2-21

MSL 1 klassifiziert nach J-STD-020

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