Infineon IPT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 80 V / 247 A HSOF
- RS Best.-Nr.:
- 258-3903
- Herst. Teile-Nr.:
- IPT019N08N5ATMA1
- Marke:
- Infineon
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- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 247A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Serie | IPT | |
| Gehäusegröße | HSOF | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2.9mΩ | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 247A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Serie IPT | ||
Gehäusegröße HSOF | ||
Montageart Oberfläche | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.9mΩ | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET Infineon OptiMOS 5 80 V in TO-Leadless-Gehäuse ist ideal für hohe Schaltfrequenzen geeignet. Dieses Gehäuse wurde speziell für Hochstromanwendungen wie Gabelstapler, leichte Elektrofahrzeuge, POL und Telekommunikation entwickelt. Mit einer Platzreduzierung von 60 % im Vergleich zum 7-poligen D2PAK-Gehäuse ist TO-Leadless die perfekte Lösung, wenn höchste Effizienz, hervorragendes elektromagnetisches Verhalten sowie bestes thermisches Verhalten und Platzreduzierung erforderlich sind.
Optimiert für synchrone Gleichrichtung
Ideal für hohe Schaltfrequenz
Weniger Parallelführung erforderlich
Erhöhte Leistungsdichte
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