Infineon IPT Typ N-Kanal MOSFET / 155 A HSOF
- RS Best.-Nr.:
- 260-5159
- Herst. Teile-Nr.:
- IPT059N15N3ATMA1
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stück)*
4,15 €
(ohne MwSt.)
4,94 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- 1.831 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 9 | 4,15 € |
| 10 - 24 | 3,95 € |
| 25 - 49 | 3,78 € |
| 50 - 99 | 3,61 € |
| 100 + | 3,36 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 260-5159
- Herst. Teile-Nr.:
- IPT059N15N3ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 155A | |
| Gehäusegröße | HSOF | |
| Serie | IPT | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 155A | ||
Gehäusegröße HSOF | ||
Serie IPT | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der N-Kanal-OptiMOS-MOSFET-Transistor von Infineon bietet eine ausgezeichnete Gate-Ladung. Er ist ideal für Hochfrequenzschaltung und synchrone Gleichrichtung.
N-Kanal, normaler Pegel
Höchste Strombelastbarkeit
Ideal für Hochfrequenzschaltung und synchrone Gleichrichtung
Verwandte Links
- Infineon IPT Typ N-Kanal MOSFET / 155 A HSOF
- Infineon IPT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 100 V / 204 A HSOF
- Infineon IPT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 100 V / 236 A HSOF
- Infineon IPT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 80 V / 247 A HSOF
- Infineon IPT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 100 V / 294 A HSOF
- Infineon IPT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 80 V / 199 A HSOF
- Infineon IPT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 100 V / 236 A IPT022N10NF2SATMA1 HSOF
- Infineon IPT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 80 V / 199 A IPT012N08NF2SATMA1 HSOF
