Infineon IPT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 80 V / 333 A 278 W, 8-Pin HSOF-8

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RS Best.-Nr.:
236-1586
Herst. Teile-Nr.:
IPT013N08NM5LFATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

333A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Gehäusegröße

HSOF-8

Serie

IPT

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.3mΩ

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

158nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

278W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

10.58 mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

2.4mm

Länge

10.1mm

Automobilstandard

Nein

Der Infineon OptiMOS 5 Linear-FET, 80-V-MOSFET. Dieses Produkt ist gemäß JEDEC für industrielle Anwendungen vollständig zugelassen.

Ideal für Hot-Swap- und e-fuse-Anwendungen

Sehr niedriger Einschaltwiderstand RDS(on)

Großer sicherer Betriebsbereich SOA

N-Kanal, normale

100%ig auf Stoßentladung geprüft

Bleifreie Beschichtung, halogenfrei

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