Infineon IPT Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-Transistor Erweiterung 120 V / 331 A 395 W, 8-Pin PG-HSOG-8

Der Infineon OptiMOS 6 Leistungstransistor, 120 V ist ein n-Kanal-MOSFET mit normalem Pegel, der für hocheffiziente Leistungsanwendungen entwickelt wurde. Er zeichnet sich durch einen sehr niedrigen Einschaltwiderstand (RDS(on)) aus, der minimale Leitungsverluste für eine verbesserte Leistung gewährleistet. Mit einem hervorragenden Gate-Ladung x RDS(on)-Produkt (FOM) ermöglicht er hervorragende Schalteigenschaften. Der MOSFET hat auch eine sehr niedrige Sperrverzögerungsladung (Qrr), was zu geringeren Schaltverlusten beiträgt. Seine hohe Avalanche-Energieleistung sorgt für Robustheit unter Stress, und er arbeitet zuverlässig bei einer Temperatur von 175 °C, wodurch er sich für anspruchsvolle Umgebungen mit hohen Temperaturen eignet.

Optimiert für Hochfrequenzschaltung und Synchrongleichrichtung