Infineon IPT N-Kanal, Oberfläche Leistungs-Transistor Erweiterung 120 V / 331 A 395 W, 8-Pin PG-HSOG-8
- RS Best.-Nr.:
- 349-135
- Herst. Teile-Nr.:
- IPTG017N12NM6ATMA1
- Marke:
- Infineon
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- IPTG017N12NM6ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | Leistungs-Transistor | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 331A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 120V | |
| Serie | IPT | |
| Gehäusegröße | PG-HSOG-8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.7mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 113nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 395W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS, MSL1 J-STD-020, IEC61249-2-21 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ Leistungs-Transistor | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 331A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 120V | ||
Serie IPT | ||
Gehäusegröße PG-HSOG-8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.7mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 113nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 395W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS, MSL1 J-STD-020, IEC61249-2-21 | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MY
Der Infineon OptiMOS 6 Leistungstransistor, 120 V ist ein n-Kanal-MOSFET mit normalem Pegel, der für hocheffiziente Leistungsanwendungen entwickelt wurde. Er zeichnet sich durch einen sehr niedrigen Einschaltwiderstand (RDS(on)) aus, der minimale Leitungsverluste für eine verbesserte Leistung gewährleistet. Mit einem hervorragenden Gate-Ladung x RDS(on)-Produkt (FOM) ermöglicht er hervorragende Schalteigenschaften. Der MOSFET hat auch eine sehr niedrige Sperrverzögerungsladung (Qrr), was zu geringeren Schaltverlusten beiträgt. Seine hohe Avalanche-Energieleistung sorgt für Robustheit unter Stress, und er arbeitet zuverlässig bei einer Temperatur von 175 °C, wodurch er sich für anspruchsvolle Umgebungen mit hohen Temperaturen eignet.
Optimiert für Hochfrequenzschaltung und Synchrongleichrichtung
Pb-freie Bleibeschichtung
RoHS-Konformität
Halogenfrei gemäß IEC61249-2-21
MSL 1 klassifiziert nach J-STD-020