Infineon IGLR65 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 9.2 A 34 W, 8-Pin PG-TSON-8
- RS Best.-Nr.:
- 351-877
- Herst. Teile-Nr.:
- IGLR65R200D2XUMA1
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 351-877
- Herst. Teile-Nr.:
- IGLR65R200D2XUMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 9.2A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | PG-TSON-8 | |
| Serie | IGLR65 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.24Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 34W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 10 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 1.26nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | JEDEC for Industrial Applications | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 9.2A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße PG-TSON-8 | ||
Serie IGLR65 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.24Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 34W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 10 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 1.26nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen JEDEC for Industrial Applications | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MY
Der GaN-Leistungstransistor von Infineon ermöglicht eine höhere Effizienz im Hochfrequenzbetrieb. Als Teil der CoolGaN 650 V G5-Familie erfüllt er die höchsten Qualitätsstandards und ermöglicht äußerst zuverlässige Designs mit überlegener Effizienz. Er ist in einem unterseitig gekühlten ThinPAK-Gehäuse untergebracht und eignet sich gut für Verbraucheranwendungen mit schlanken Formfaktoren.
650 V E-Mode-Leistungstransistor
Ultraschnelles Schalten
Keine Reverse-Recovery-Ladung
Fähigkeit zur Rückleitung
Niedrige Gate-Ladung, niedrige Ausgangsladung
Überlegene Robustheit der Kommutierung
Niedrige dynamische RDS(on)
Hohe ESD-Robustheit: 2 kV HBM - 1 kV CDM
Unterseitig gekühltes Gehäuse
JEDEC-qualifiziert (JESD47, JESD22)
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