Infineon IGLR65 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 7.2 A 28 W, 8-Pin PG-TSON-8
- RS Best.-Nr.:
- 351-874
- Herst. Teile-Nr.:
- IGLR65R270D2XUMA1
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
9,20 €
(ohne MwSt.)
10,95 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- 5.000 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,84 € | 9,20 € |
| 50 - 95 | 1,746 € | 8,73 € |
| 100 - 495 | 1,62 € | 8,10 € |
| 500 - 995 | 1,492 € | 7,46 € |
| 1000 + | 1,434 € | 7,17 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 351-874
- Herst. Teile-Nr.:
- IGLR65R270D2XUMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 7.2A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Serie | IGLR65 | |
| Gehäusegröße | PG-TSON-8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.33Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 28W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 10 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 1nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | JEDEC for Industrial Applications | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 7.2A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Serie IGLR65 | ||
Gehäusegröße PG-TSON-8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.33Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 28W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 10 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 1nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen JEDEC for Industrial Applications | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MY
Der GaN-Leistungstransistor von Infineon ermöglicht eine höhere Effizienz im Hochfrequenzbetrieb. Als Teil der CoolGaN 650 V G5-Familie erfüllt er die höchsten Qualitätsstandards und ermöglicht äußerst zuverlässige Designs mit überlegener Effizienz. Er ist in einem unterseitig gekühlten ThinPAK-Gehäuse untergebracht und eignet sich gut für Verbraucheranwendungen mit schlanken Formfaktoren.
650 V E-Mode-Leistungstransistor
Ultraschnelles Schalten
Keine Reverse-Recovery-Ladung
Fähigkeit zur Rückleitung
Niedrige Gate-Ladung und niedrige Ausgangsladung
Überlegene Robustheit der Kommutierung
Niedrige dynamische RDS(on)
Hohe ESD-Robustheit: 2 kV HBM - 1 kV CDM
Unterseitig gekühltes Gehäuse
JEDEC-qualifiziert (JESD47, JESD22)
Verwandte Links
- Infineon IGLR65 Typ N-Kanal 8-Pin IGLR65R200D2XUMA1 PG-TSON-8
- Infineon IGLR65 Typ N-Kanal 8-Pin IGLR65R140D2XUMA1 PG-TSON-8
- Infineon CoolGaN G5 Typ N-Kanal 8-Pin IGL65R055D2XUMA1 PG-TSON-8
- Infineon CoolGaN G5 Typ N-Kanal 8-Pin IGL65R080D2XUMA1 PG-TSON-8
- Infineon CoolGaN G5 Typ N-Kanal 8-Pin IGL65R140D2XUMA1 PG-TSON-8
- Infineon CoolGaN G5 Typ N-Kanal 8-Pin IGL65R110D2XUMA1 PG-TSON-8
- Infineon OptiMOS N-Kanal 8-Pin PG-Tson-8
- Infineon CAN-Transceiver CAN 48 mA, PG-Tson-8 8-Pin