Infineon ISC Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-Transistor Erweiterung 135 V / 172 A 250 W, 8-Pin ISC037N13NM6ATMA1
- RS Best.-Nr.:
- 349-142
- Herst. Teile-Nr.:
- ISC037N13NM6ATMA1
- Marke:
- Infineon
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|---|---|---|
| 2 - 18 | 4,81 € | 9,62 € |
| 20 - 198 | 4,325 € | 8,65 € |
| 200 - 998 | 3,99 € | 7,98 € |
| 1000 - 1998 | 3,705 € | 7,41 € |
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- RS Best.-Nr.:
- 349-142
- Herst. Teile-Nr.:
- ISC037N13NM6ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | Leistungs-Transistor | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 172A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 135V | |
| Serie | ISC | |
| Gehäusegröße | PG-TSON-8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3.7mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 250W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 82nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS, JEDEC, IEC61249-2-21 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ Leistungs-Transistor | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 172A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 135V | ||
Serie ISC | ||
Gehäusegröße PG-TSON-8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3.7mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 250W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 82nC | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS, JEDEC, IEC61249-2-21 | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MY
Der OptiMOS 6 Leistungstransistor von Infineon ist ein n-Kanal-MOSFET mit normalem Pegel, der für Hochleistungsanwendungen entwickelt wurde. Er zeichnet sich durch einen sehr niedrigen Einschaltwiderstand (RDS(on)) aus, der Leitungsverluste minimiert und den Gesamtwirkungsgrad erhöht. Der Transistor bietet außerdem ein hervorragendes Gate-Ladung x RDS(on)-Produkt (FOM), das eine optimale Schaltleistung gewährleistet. Durch die sehr niedrige Sperrverzögerungsladung (Qrr) werden Schaltverluste reduziert, so dass er sich für schnell schaltende Anwendungen eignet. Darüber hinaus ist das Gerät zu 100 % Avalanche-getestet, was Zuverlässigkeit und Robustheit unter Stressbedingungen gewährleistet.
175 °C Betriebstemperatur
Optimiert für Motorantriebe und batteriebetriebene Anwendungen
Bleifreie Beschichtung und RoHS-konform
Halogenfrei gemäß IEC61249-2-21
MSL 1 klassifiziert nach J-STD-020