Infineon ISC N-Kanal, Oberfläche Leistungs-Transistor Erweiterung 120 V / 170 A 211 W, 8-Pin PG-TDSON-8 FL
- RS Best.-Nr.:
- 349-139
- Herst. Teile-Nr.:
- ISC032N12LM6ATMA1
- Marke:
- Infineon
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| 20 - 198 | 4,58 € | 9,16 € |
| 200 - 998 | 4,225 € | 8,45 € |
| 1000 - 1998 | 3,92 € | 7,84 € |
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- RS Best.-Nr.:
- 349-139
- Herst. Teile-Nr.:
- ISC032N12LM6ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | Leistungs-Transistor | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 170A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 120V | |
| Gehäusegröße | PG-TDSON-8 FL | |
| Serie | ISC | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3.2mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 211W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 33nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | IEC61249-2-21, JEDEC, RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ Leistungs-Transistor | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 170A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 120V | ||
Gehäusegröße PG-TDSON-8 FL | ||
Serie ISC | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3.2mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 211W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 33nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen IEC61249-2-21, JEDEC, RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der OptiMOS 6 Leistungstransistor von Infineon ist ein n-Kanal-MOSFET mit Logikpegel, der für hocheffiziente Leistungsanwendungen entwickelt wurde. Er zeichnet sich durch einen sehr niedrigen Einschaltwiderstand (RDS(on)) aus, der Leitungsverluste reduziert und die Leistung verbessert. Der Transistor verfügt über ein hervorragendes Gate-Ladung x RDS(on)-Produkt (FOM), das optimale Schalteigenschaften gewährleistet. Darüber hinaus bietet er eine sehr niedrige Sperrverzögerungsladung (Qrr) und minimiert so die Schaltverluste.
Optimiert für Hochfrequenzschaltung und Synchrongleichrichtung
Bleifreie Beschichtung und RoHS-konform
Halogenfrei gemäß IEC61249-2-21
MSL 1 klassifiziert nach J-STD-020