Infineon ISC Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-Transistor Erweiterung 135 V / 142 A 211 W, 8-Pin PG-TDSON-8
- RS Best.-Nr.:
- 349-143
- Herst. Teile-Nr.:
- ISC046N13NM6ATMA1
- Marke:
- Infineon
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 4,285 € | 8,57 € |
| 20 - 198 | 3,86 € | 7,72 € |
| 200 - 998 | 3,56 € | 7,12 € |
| 1000 - 1998 | 3,30 € | 6,60 € |
| 2000 + | 2,95 € | 5,90 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 349-143
- Herst. Teile-Nr.:
- ISC046N13NM6ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | Leistungs-Transistor | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 142A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 135V | |
| Serie | ISC | |
| Gehäusegröße | PG-TDSON-8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 4.6mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 65nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 211W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | IEC61249-2-21, JEDEC, J-STD-020, RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ Leistungs-Transistor | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 142A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 135V | ||
Serie ISC | ||
Gehäusegröße PG-TDSON-8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 4.6mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 65nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 211W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen IEC61249-2-21, JEDEC, J-STD-020, RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der OptiMOS 6 Leistungstransistor von Infineon ist ein n-Kanal-MOSFET mit normalem Pegel, der für Hochleistungsanwendungen entwickelt wurde. Er zeichnet sich durch einen sehr niedrigen Einschaltwiderstand (RDS(on)) aus, der Leitungsverluste minimiert und den Gesamtwirkungsgrad erhöht. Der Transistor bietet außerdem ein hervorragendes Gate-Ladung x RDS(on)-Produkt (FOM), das eine optimale Schaltleistung gewährleistet. Durch die sehr niedrige Sperrverzögerungsladung (Qrr) werden Schaltverluste reduziert, so dass er sich für schnell schaltende Anwendungen eignet. Darüber hinaus ist das Gerät zu 100 % Avalanche-getestet, was Zuverlässigkeit und Robustheit unter Stressbedingungen gewährleistet.
175 °C Betriebstemperatur
Optimiert für Motorantriebe und batteriebetriebene Anwendungen
Bleifreie Beschichtung und RoHS-konform
Halogenfrei gemäß IEC61249-2-21
MSL 1 klassifiziert nach J-STD-020
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