Infineon ISC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 164 A 217 W, 8-Pin PG-TDSON-8
- RS Best.-Nr.:
- 349-141
- Herst. Teile-Nr.:
- ISC035N10NM5LF2ATMA1
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*
8,94 €
(ohne MwSt.)
10,64 €
(inkl. MwSt.)
Fügen Sie 26 Stück hinzu, um eine kostenlose Lieferung zu erhalten.
Auf Lager
- 5.000 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 4,47 € | 8,94 € |
| 20 - 198 | 4,02 € | 8,04 € |
| 200 - 998 | 3,71 € | 7,42 € |
| 1000 - 1998 | 3,44 € | 6,88 € |
| 2000 + | 3,085 € | 6,17 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 349-141
- Herst. Teile-Nr.:
- ISC035N10NM5LF2ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 164A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | PG-TDSON-8 | |
| Serie | ISC | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3.5mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 217W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS, IEC61249-2-21, JEDEC | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 164A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße PG-TDSON-8 | ||
Serie ISC | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3.5mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 217W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS, IEC61249-2-21, JEDEC | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der OptiMOS 5 Linear FET 2, 100 V von Infineon ist ein n-Kanal-MOSFET mit normalem Pegel, der speziell für Hot-Swap-, Batterieschutz- und E-Fuse-Anwendungen entwickelt wurde. Er zeichnet sich durch einen sehr niedrigen Einschaltwiderstand (RDS(on)) aus, wodurch Leitungsverluste minimiert und die Effizienz erhöht werden. Der MOSFET bietet außerdem einen großen sicheren Betriebsbereich (SOA), der eine zuverlässige Leistung unter einer Vielzahl von Betriebsbedingungen gewährleistet. Diese Eigenschaften machen ihn zur idealen Wahl für Anwendungen, die ein robustes, effizientes und zuverlässiges Energiemanagement erfordern.
100 % Avalanche-getestet
Bleifreie Beschichtung und RoHS-konform
Halogenfrei gemäß IEC61249-2-21
Verwandte Links
- Infineon ISC Typ N-Kanal 8-Pin PG-TDSON-8
- Infineon ISC Typ N-Kanal 8-Pin PG-TDSON-8
- Infineon ISC Typ N-Kanal 8-Pin PG-TDSON-8
- Infineon ISC Typ N-Kanal 8-Pin PG-TDSON-8
- Infineon ISC Typ N-Kanal 8-Pin PG-TDSON-8
- Infineon ISC Typ N-Kanal 8-Pin PG-TDSON-8
- Infineon IAUCN04S7L006 Typ N-Kanal 8-Pin PG-TDSON-8-43
- Infineon ISC Typ N-Kanal 8-Pin PG-TDSON-8 FL
