Infineon ISC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 120 V / 62 A 94 W, 8-Pin PG-TDSON-8
- RS Best.-Nr.:
- 349-146
- Herst. Teile-Nr.:
- ISC110N12NM6ATMA1
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*
13,34 €
(ohne MwSt.)
15,87 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- 5.000 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 1,334 € | 13,34 € |
| 100 - 240 | 1,267 € | 12,67 € |
| 250 + | 1,174 € | 11,74 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 349-146
- Herst. Teile-Nr.:
- ISC110N12NM6ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 62A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 120V | |
| Serie | ISC | |
| Gehäusegröße | PG-TDSON-8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 11mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 15.4nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 94W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | IEC61249-2-21, JEDEC, J-STD-020, RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 62A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 120V | ||
Serie ISC | ||
Gehäusegröße PG-TDSON-8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 11mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 15.4nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 94W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen IEC61249-2-21, JEDEC, J-STD-020, RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der OptiMOS 6 Leistungstransistor von Infineon ist ein N-Kanal-MOSFET mit normalem Pegel, der für hocheffiziente Leistungsanwendungen entwickelt wurde. Er zeichnet sich durch einen sehr niedrigen Einschaltwiderstand (RDS(on)) aus, wodurch Leitungsverluste reduziert und die Energieeffizienz verbessert werden. Der Transistor bietet ein hervorragendes Gate-Ladung x RDS(on)-Produkt (FOM), das die Schaltleistung verbessert. Durch die sehr niedrige Umkehrerholungsladung (Qrr) werden Schaltverluste minimiert, was ihn ideal für schnell schaltende Anwendungen macht. Außerdem verfügt er über einen hohen Avalanche-Energiewert, der Robustheit unter transienten Bedingungen gewährleistet. Darüber hinaus arbeitet der MOSFET bei einer Temperatur von 175°C und bietet eine hohe thermische Belastbarkeit für anspruchsvolle Anwendungen.
Optimiert für Hochfrequenzschaltung und Synchrongleichrichtung
Bleifreie Beschichtung und RoHS-konform
Halogenfrei gemäß IEC61249-2-21
MSL 1 klassifiziert nach J-STD-020
Verwandte Links
- Infineon ISC Typ N-Kanal 8-Pin PG-TDSON-8
- Infineon ISC Typ N-Kanal 8-Pin PG-TDSON-8
- Infineon ISC Typ N-Kanal 8-Pin PG-TDSON-8
- Infineon ISC Typ N-Kanal 8-Pin PG-TDSON-8
- Infineon ISC Typ N-Kanal 8-Pin PG-TDSON-8
- Infineon ISC Typ N-Kanal 8-Pin PG-TDSON-8
- Infineon ISC Typ N-Kanal 8-Pin PG-TDSON-8 FL
- Infineon ISC Typ N-Kanal 8-Pin PG-TDSON-8 FL