Infineon ISC Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-Transistor Erweiterung 40 V / 541 A 234 W, 8-Pin PG-TDSON-8
- RS Best.-Nr.:
- 349-391
- Herst. Teile-Nr.:
- ISCH42N04LM7ATMA1
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
16,86 €
(ohne MwSt.)
20,065 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 09. Dezember 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 3,372 € | 16,86 € |
| 50 - 95 | 3,204 € | 16,02 € |
| 100 + | 2,966 € | 14,83 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 349-391
- Herst. Teile-Nr.:
- ISCH42N04LM7ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | Leistungs-Transistor | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 541A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | PG-TDSON-8 | |
| Serie | ISC | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.42mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 234W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 79nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | IEC61249‑2‑21, JEDEC, RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ Leistungs-Transistor | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 541A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße PG-TDSON-8 | ||
Serie ISC | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.42mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 234W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 79nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen IEC61249‑2‑21, JEDEC, RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MY
Der Infineon OptiMOS 7 Leistungstransistor, 40 V, N-Kanal ist ein Hochleistungs-MOSFET, der für außergewöhnliche Effizienz und Zuverlässigkeit in Leistungsschaltanwendungen entwickelt wurde. Mit seinem sehr niedrigen Einschaltwiderstand (RDS(on)) trägt er zur Minimierung von Leitungsverlusten bei und verbessert so die Effizienz des Gesamtsystems. Sein hervorragender Wärmewiderstand sorgt für eine effektive Wärmeableitung, wodurch er sich gut für Hochleistungsanwendungen eignet. Darüber hinaus ist er zu 100 % Avalanche-getestet und bietet einen robusten Schutz gegen transiente Ereignisse und gewährleistet eine stabile Leistung auch unter schwierigen Bedingungen.
Bleifreie Beschichtung und RoHS-konform
Halogenfrei gemäß IEC61249-2-21
Verwandte Links
- Infineon ISC Typ N-Kanal 8-Pin ISC151N20NM6ATMA1
- Infineon ISC Typ N-Kanal 8-Pin ISC037N13NM6ATMA1
- Infineon ISC Typ N-Kanal 8-Pin ISC032N12LM6ATMA1
- Infineon ISC Typ N-Kanal 8-Pin ISC046N13NM6ATMA1
- Infineon IPF Typ N-Kanal 7-Pin IPF129N20NM6ATMA1
- Infineon ISC Typ N-Kanal 8-Pin ISC045N03L5SATMA1
- Infineon ISC Typ N-Kanal 8-Pin PG-TDSON-8
- Infineon IST Typ N-Kanal 5-Pin sTOLL
