Infineon IMLT65 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 650 V Erweiterung / 82 A, 16-Pin PG-HDSOP-16 IMLT65R026M2HXTMA1

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RS Best.-Nr.:
351-947
Herst. Teile-Nr.:
IMLT65R026M2HXTMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

82A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Ausgangsleistung

365W

Gehäusegröße

PG-HDSOP-16

Serie

IMLT65

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

16

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

2.35mm

Länge

10.1mm

Breite

10.3 mm

Normen/Zulassungen

JEDEC

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
MY
Der diskrete Infineon CoolSiC MOSFET der Generation 2 (G2) in TOLT nutzt die klassenbeste Schaltleistung des G2 und bietet gleichzeitig alle Vorteile der Oberseitenkühlung. Durch die Ergänzung des Q-DPAK-Gehäuses ist es nun möglich, eine vollständig diskrete Lösung für die Oberseiten-Kühlung zu implementieren, die eine bessere thermische Leistung, eine Reduzierung und Vereinfachung der Systemkosten und eine kostengünstigere Montage ermöglicht.

Ermöglicht Stücklisteneinsparungen

Höchste Zuverlässigkeit

Ermöglicht höchste Effizienz und Leistungsdichte

Vereinfacht Montage und Kühlung

Flüssigkühlung bereit

Ermöglicht Designs ohne Lüfter oder Kühlkörper

Geringere Streuinduktivitäten

Bessere Gate-Kontrolle

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