Infineon IMLT65 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 650 V Erweiterung / 68 A, 16-Pin PG-HDSOP-16
- RS Best.-Nr.:
- 351-949
- Herst. Teile-Nr.:
- IMLT65R033M2HXTMA1
- Marke:
- Infineon
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- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 68A | |
| Ausgangsleistung | 312W | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Serie | IMLT65 | |
| Gehäusegröße | PG-HDSOP-16 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 16 | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 10.1mm | |
| Breite | 10.3 mm | |
| Normen/Zulassungen | JEDEC | |
| Höhe | 2.35mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 68A | ||
Ausgangsleistung 312W | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Serie IMLT65 | ||
Gehäusegröße PG-HDSOP-16 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 16 | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 10.1mm | ||
Breite 10.3 mm | ||
Normen/Zulassungen JEDEC | ||
Höhe 2.35mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MY
Der diskrete Infineon CoolSiC MOSFET der Generation 2 (G2) in TOLT nutzt die klassenbeste Schaltleistung des G2 und bietet gleichzeitig alle Vorteile der Oberseitenkühlung. Durch die Ergänzung des Q-DPAK-Gehäuses ist es nun möglich, eine vollständig diskrete Lösung für die Oberseiten-Kühlung zu implementieren, die eine bessere thermische Leistung, eine Reduzierung und Vereinfachung der Systemkosten und eine kostengünstigere Montage ermöglicht.
Ermöglicht Stücklisteneinsparungen
Höchste Zuverlässigkeit
Ermöglicht höchste Effizienz und Leistungsdichte
Vereinfacht Montage und Kühlung
Flüssigkühlung bereit
Ermöglicht Designs ohne Lüfter oder Kühlkörper
Geringere Streuinduktivitäten
Bessere Gate-Kontrolle
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