Infineon IMLT65 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 650 V Erweiterung / 68 A, 16-Pin PG-HDSOP-16 IMLT65R033M2HXTMA1

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RS Best.-Nr.:
351-949
Herst. Teile-Nr.:
IMLT65R033M2HXTMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

68A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Ausgangsleistung

312W

Gehäusegröße

PG-HDSOP-16

Serie

IMLT65

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

16

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

2.35mm

Länge

10.1mm

Normen/Zulassungen

JEDEC

Breite

10.3 mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
MY
Der diskrete Infineon CoolSiC MOSFET der Generation 2 (G2) in TOLT nutzt die klassenbeste Schaltleistung des G2 und bietet gleichzeitig alle Vorteile der Oberseitenkühlung. Durch die Ergänzung des Q-DPAK-Gehäuses ist es nun möglich, eine vollständig diskrete Lösung für die Oberseiten-Kühlung zu implementieren, die eine bessere thermische Leistung, eine Reduzierung und Vereinfachung der Systemkosten und eine kostengünstigere Montage ermöglicht.

Ermöglicht Stücklisteneinsparungen

Höchste Zuverlässigkeit

Ermöglicht höchste Effizienz und Leistungsdichte

Vereinfacht Montage und Kühlung

Flüssigkühlung bereit

Ermöglicht Designs ohne Lüfter oder Kühlkörper

Geringere Streuinduktivitäten

Bessere Gate-Kontrolle

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