Infineon IGLT65 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 67 A 219 W, 16-Pin IGLT65R025D2AUMA1 PG-HDSOP-16

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RS Best.-Nr.:
351-891
Herst. Teile-Nr.:
IGLT65R025D2AUMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

67A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Serie

IGLT65

Gehäusegröße

PG-HDSOP-16

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

16

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.053Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

219W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

11nC

Gate-Source-spannung max Vgs

10 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

JEDEC for Industrial Applications

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
MY
Der GaN-Leistungstransistor von Infineon ermöglicht eine höhere Effizienz im Hochfrequenzbetrieb. Als Teil der CoolGaN 650 V G5-Familie erfüllt er die höchsten Qualitätsstandards und ermöglicht äußerst zuverlässige Designs mit überlegener Effizienz. Er ist in einem von oben gekühlten TOLT-Gehäuse untergebracht und wurde für eine optimale Verlustleistung in verschiedenen industriellen Anwendungen entwickelt.

650 V E-Mode-Leistungstransistor

Ultraschnelles Schalten

Keine Reverse-Recovery-Ladung

Fähigkeit zur Rückleitung

Niedrige Gate-Ladung, niedrige Ausgangsladung

Überlegene Robustheit der Kommutierung

Niedrige dynamische RDS(on)

Hohe ESD-Robustheit: 2 kV HBM - 1 kV CDM

Oberseitig gekühltes Gehäuse

JEDEC-qualifiziert (JESD47, JESD22)

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