Infineon AIMZA75 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 750 V / 163 A 517 W, 4-Pin PG-TO247-4

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RS Best.-Nr.:
351-988
Herst. Teile-Nr.:
AIMZA75R008M1HXKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

163A

Drain-Source-Spannung Vds max.

750V

Serie

AIMZA75

Gehäusegröße

PG-TO247-4

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

14.0mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

5.3V

Gate-Source-spannung max Vgs

23V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

178nC

Maximale Verlustleistung Pd

517W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

5.1mm

Breite

15.9mm

Normen/Zulassungen

AEC Q101

Länge

21.1mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Der Infineon CoolSiC Automotive MOSFET ist auf der soliden Siliziumkarbid-Technologie aufgebaut. Er bietet einen Vorsprung in Bezug auf Leistung, Zuverlässigkeit und Robustheit sowie Flexibilität bei der Ansteuerung der Gates und ermöglicht ein vereinfachtes und kostengünstiges Systemdesign für höchste Effizienz und Leistungsdichte.

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Unipolare Ansteuerung

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