Infineon AIMZA75 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 750 V / 163 A 517 W, 4-Pin PG-TO247-4

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RS Best.-Nr.:
351-988
Herst. Teile-Nr.:
AIMZA75R008M1HXKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

163A

Drain-Source-Spannung Vds max.

750V

Gehäusegröße

PG-TO247-4

Serie

AIMZA75

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

14.0mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

23 V

Maximale Verlustleistung Pd

517W

Durchlassspannung Vf

5.3V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

178nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

15.9 mm

Länge

21.1mm

Höhe

5.1mm

Normen/Zulassungen

AEC Q101

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
AT
Der Infineon CoolSiC Automotive MOSFET ist auf der soliden Siliziumkarbid-Technologie aufgebaut. Er bietet einen Vorsprung in Bezug auf Leistung, Zuverlässigkeit und Robustheit sowie Flexibilität bei der Ansteuerung der Gates und ermöglicht ein vereinfachtes und kostengünstiges Systemdesign für höchste Effizienz und Leistungsdichte.

Hervorragende Effizienz bei harten Schaltvorgängen

Ermöglicht höhere Schaltfrequenz

Höhere Zuverlässigkeit

Robustheit gegen parasitäre Einwirkungen

Unipolare Ansteuerung

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