DiodesZetex N-Kanal-Anreicherungsmodus-MOSFET DMW Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 1200 V Erweiterung / 44.5 A,

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stück)*

15,51 €

(ohne MwSt.)

18,46 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 60 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
1 - 915,51 €
10 - 9913,97 €
100 +12,87 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
427-678
Herst. Teile-Nr.:
DMWSH120H80SM3
Marke:
DiodesZetex
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

DiodesZetex

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

44.5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1200V

Gehäusegröße

TO-247

Serie

DMW

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Transistor-Konfiguration

N-Kanal-Anreicherungsmodus-MOSFET

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS Compliant

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Der SiC-MOSFET von DiodesZetex wurde entwickelt, um den Durchlasswiderstand zu minimieren und dennoch eine hervorragende Schaltleistung beizubehalten, wodurch er sich ideal für hocheffiziente Power-Management-Anwendungen eignet.

Völlig bleifrei und vollständig RoHS-konform

Halogen- und antimonfrei

Niedrige Eingangskapazität

Verwandte Links