Infineon Dualer N-Kanal Logikpegel Anreicherungsmodus OptiMOSTM-T2 Typ N-Kanal 2 MOSFET 60 V N / 20 A 33 W, 8-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 249-6921
- Herst. Teile-Nr.:
- IPG20N06S4L26ATMA1
- Marke:
- Infineon
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- 249-6921
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- IPG20N06S4L26ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 20A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | OptiMOSTM-T2 | |
| Gehäusegröße | SuperSO8 5 x 6 | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Channel-Modus | N | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±16 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 33W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 15nC | |
| Transistor-Konfiguration | Dualer N-Kanal Logikpegel Anreicherungsmodus | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS Compliant | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 20A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie OptiMOSTM-T2 | ||
Gehäusegröße SuperSO8 5 x 6 | ||
Pinanzahl 8 | ||
Channel-Modus N | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±16 V | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 33W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 15nC | ||
Transistor-Konfiguration Dualer N-Kanal Logikpegel Anreicherungsmodus | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS Compliant | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der Infineon OptiMOS ist ein Leistungs-MOSFET für Kfz-Anwendungen. Der Betriebskanal ist N. Er ist AEC Q101-qualifiziert. MSL1 bis 260 °C Spitzenreflow. Grünes Produkt (RoHS-konform) und 100 % Lawinengeprüft.
175 °C Betriebstemperatur
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