Infineon Dualer N-Kanal Logikpegel Anreicherungsmodus OptiMOS-T2 Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 20
- RS Best.-Nr.:
- 214-9062
- Herst. Teile-Nr.:
- IPG20N06S4L11AATMA1
- Marke:
- Infineon
Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*
13,44 €
(ohne MwSt.)
15,99 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
- 14.720 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 1,344 € | 13,44 € |
| 50 - 90 | 1,277 € | 12,77 € |
| 100 - 240 | 1,223 € | 12,23 € |
| 250 - 490 | 1,169 € | 11,69 € |
| 500 + | 1,088 € | 10,88 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 214-9062
- Herst. Teile-Nr.:
- IPG20N06S4L11AATMA1
- Marke:
- Infineon
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 20A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | TDSON | |
| Serie | OptiMOS-T2 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 11.2mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 65W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 41nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Transistor-Konfiguration | Dualer N-Kanal Logikpegel Anreicherungsmodus | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS, MSL1, AEC Q101 | |
| Höhe | 1mm | |
| Länge | 5.15mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 20A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße TDSON | ||
Serie OptiMOS-T2 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 11.2mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 65W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 41nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Transistor-Konfiguration Dualer N-Kanal Logikpegel Anreicherungsmodus | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS, MSL1, AEC Q101 | ||
Höhe 1mm | ||
Länge 5.15mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Verwandte Links
- Infineon Dualer N-Kanal Logikpegel Anreicherungsmodus OptiMOS-T2 Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 20
- Infineon Dualer N-Kanal Logikpegel Anreicherungsmodus OptiMOSTM-T2 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 100 V Zweifach N / 20
- Infineon Dualer N-Kanal Logikpegel Anreicherungsmodus OptiMOSTM-T2 Zweifach N-Kanal, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung
- Infineon Dualer N-Kanal Logikpegel Anreicherungsmodus OptiMOSTM-T2 Typ N-Kanal 2 MOSFET 60 V N / 20 A 33 W, 8-Pin
- Infineon Dualer N-Kanal Logikpegel Anreicherungsmodus IPG20N06S4L-11 Typ N-Kanal MOSFET 60 V / 20 A 65 W TDSON
- Infineon Dual-N-Kanal-Normalpegel-Anreicherungsmodus IPG16N10S4-61 Typ N-Kanal MOSFET 100 V Zweifach N / 16 A 29 W,
- Infineon OptiMOS-T2 Typ N-Kanal 3-Pin TO-263
- Infineon OptiMOS-T2 Typ N-Kanal 3-Pin TO-263
