Infineon OptiMOS™ -T2 IPB120N06S4H1ATMA2 N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 120 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)
- RS Best.-Nr.:
- 218-3033
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB120N06S4H1ATMA2
- Marke:
- Infineon
Voraussichtlich ab 18.09.2025 verfügbar.
Preis pro Stück (In einer VPE à 5)
3,642 €
(ohne MwSt.)
4,334 €
(inkl. MwSt.)
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 3,642 € | 18,21 € |
| 25 - 45 | 3,098 € | 15,49 € |
| 50 - 120 | 2,876 € | 14,38 € |
| 125 - 245 | 2,696 € | 13,48 € |
| 250 + | 2,478 € | 12,39 € |
*Bitte VPE beachten
Nicht als Expresslieferung erhältlich
- RS Best.-Nr.:
- 218-3033
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB120N06S4H1ATMA2
- Marke:
- Infineon
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET der Infineon OptiMOS TM-T2-Serie. Er hat niedrige Schalt- und Leitungsleistungsverluste für einen hohen Wärmewirkungsgrad.
N-Kanal - Anreicherungstyp
175 °C Betriebstemperatur
100 % Lawinenprüfung
175 °C Betriebstemperatur
100 % Lawinenprüfung
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 120 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 60 V |
| Serie | OptiMOS™ -T2 |
| Gehäusegröße | D2PAK (TO-263) |
| Montage-Typ | THT |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 0,002 Ω |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
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