Infineon OptiMOS-T2 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 90 A 136 W, 3-Pin TO-252

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825-9398
Herst. Teile-Nr.:
IPD90N03S4L02ATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

90A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Serie

OptiMOS-T2

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.6mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

136W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

110nC

Durchlassspannung Vf

0.9V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

16 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Breite

6.22 mm

Höhe

2.3mm

Länge

6.5mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS™ T2


Der neue OptiMOS ™ -T2 von Infineon verfügt über eine Reihe von energieeffizienten MOSFET-Transistoren mit CO2-Senkung und elektrischen Antrieben. Die neue Produktfamilie OptiMOS™ -T2 ist eine Ergänzung der vorhandenen Familien OptiMOS™ -T und OptiMOS™.

OptiMOS™-Produkte sind in Hochleistungsgehäusen erhältlich, um die anspruchsvollsten Anwendungen bewältigen zu können und volle Flexibilität an engen Orten zu bieten. Diese Produkte von Infineon wurden entwickelt, um die Anforderungen an Energieeffizienz und Leistungsdichte der verschärften Spannungsregelungsstandards für Computeranwendungen der nächsten Generation zu erfüllen und zu übertreffen.

N-Kanal – Anreicherungstyp

AEC-Zulassung

MSL1 bis zu 260 °C Spitzen-Reflow-Temperatur

175 °C Betriebstemperatur

Green Product (RoHS-konform)

MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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