Infineon OptiMOS-T2 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 90 A 136 W, 3-Pin TO-252

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Herst. Teile-Nr.:
IPD90N10S4L06ATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

90A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

OptiMOS-T2

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

6.6mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

16 V

Durchlassspannung Vf

1.3V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

75nC

Maximale Verlustleistung Pd

136W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

6.22 mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

6.73mm

Höhe

2.41mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET der Infineon OptiMOS TM-T2-Serie. Er hat niedrige Schalt- und Leitungsleistungsverluste für einen hohen Wärmewirkungsgrad.

N-Kanal - Anreicherungstyp

MSL1 bis zu 260 °C Spitze Aufschmelzlötung

175 °C Betriebstemperatur

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