Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 30 A 136 W, 3-Pin TO-252

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 2500 Stück)*

1.532,50 €

(ohne MwSt.)

1.822,50 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 7.500 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
2500 +0,613 €1.532,50 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
214-4373
Herst. Teile-Nr.:
IPD30N06S2L13ATMA4
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

30A

Drain-Source-Spannung Vds max.

55V

Serie

OptiMOS

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

13mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

54nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

136W

Durchlassspannung Vf

1.3V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

2.35mm

Länge

6.65mm

Breite

6.42 mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

AEC-Q101

Dieser Infineon OptiMOS MOSFET bietet hohe Strombelastbarkeit und niedrigste Schalt- und Leitungsleistungsverluste für höchste Wärmeeffizienz. Es wurde zu 100 % auf Lawinenbildung getestet.

Er ist bleifrei

Verwandte Links