Infineon OptiMOS™ IPD30N06S223ATMA2 N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 30 A, 3-Pin TO-252

RS Best.-Nr.:: 214-9035
Herst. Teile-Nr.:: IPD30N06S223ATMA2
Marke:: Infineon

Infineon OptiMOS™ IPD30N06S223ATMA2 N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 30 A, 3-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:: 214-9035
Herst. Teile-Nr.:: IPD30N06S223ATMA2
Marke:: Infineon

Datasheet - IPD30N06S223ATMA2

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	30 A
Drain-Source-Spannung max.	55 V
Serie	OptiMOS™
Gehäusegröße	TO-252
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	0,023 O
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Transistor-Werkstoff	Si

Infineon OptiMOS™ IPD30N06S223ATMA2 N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 30 A, 3-Pin TO-252

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