Infineon OptiMOS™ IPD60N10S4L12ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 60 A, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 222-4669
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD60N10S4L12ATMA1
- Marke:
- Infineon
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 0,905 € | 9,05 € |
| 50 - 90 | 0,86 € | 8,60 € |
| 100 - 240 | 0,824 € | 8,24 € |
| 250 - 490 | 0,788 € | 7,88 € |
| 500 + | 0,733 € | 7,33 € |
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- RS Best.-Nr.:
- 222-4669
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD60N10S4L12ATMA1
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- Infineon
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Das Infineon Design von MOSFETs, auch bekannt als MOSFET-Transistoren, steht für "Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren". MOSFETs sind Transistorgeräte, die von einem Kondensator gesteuert werden. "Feldeffekt" bedeutet, dass sie über Spannung gesteuert werden. Das Ziel eines MOSFET ist die Steuerung des Stromflusses, der von der Quelle zu den Drain-Anschlüssen fließt.
Green Product (RoHS-konform)
MSL1 bis zu 260 °C Peak Reflow AEC Q101-zertifiziert
OptiMOS TM - Leistungs-MOSFET für Kfz-Anwendungen
MSL1 bis zu 260 °C Peak Reflow AEC Q101-zertifiziert
OptiMOS TM - Leistungs-MOSFET für Kfz-Anwendungen
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 60 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 100 V |
| Serie | OptiMOS™ |
| Gehäusegröße | TO-252 |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 0,012 Ω |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2.1V |
| Transistor-Werkstoff | Silicon |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
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