Infineon OptiMOS N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 60 A 94 W, 3-Pin TO-252

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigen

Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*

11,94 €

(ohne MwSt.)

14,21 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • 710 Einheit(en) mit Versand ab 30. September 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück
Pro Stück
Pro Packung*
10 - 401,194 €11,94 €
50 - 901,135 €11,35 €
100 - 2401,087 €10,87 €
250 - 4901,04 €10,40 €
500 +0,966 €9,66 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
222-4669
Herst. Teile-Nr.:
IPD60N10S4L12ATMA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

60A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

OptiMOS

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

12mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

38nC

Gate-Source-spannung max Vgs

16V

Maximale Verlustleistung Pd

94W

Durchlassspannung Vf

1.3V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

6.22mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

6.5mm

Höhe

2.3mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Infineon OptiMOS Serie MOSFET, 100 V maximale Drain-Source-Spannung, 60 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – IPD60N10S4L12ATMA1


Dieser MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Schalter, der für anspruchsvolle elektronische Leistungsstufen und Automobilumgebungen entwickelt wurde. Er arbeitet über einen breiten Temperaturbereich und ist für oberflächenmontierte Baugruppen vorgesehen, die eine robuste Schaltleistung und thermische Handhabung erfordern.

Merkmale und Vorteile:


• 100-V-Ableitstrom ermöglicht Hochspannungsschaltfunktionen
• 60 A kontinuierlicher Ablassstrom für hohe Strombelastungen
• 12 mΩ Rds(on), wodurch Leitungsverluste in Leistungspfaden reduziert werden
• 94 W Verlustleistung verbessert die thermische Belastbarkeit unter Last
• 38 nC typische Gate-Ladung ermöglicht vorhersehbare Schaltenergie
• Maximale Gate-Ansteuerung von 16 V ermöglicht flexible Gate-Spannungsauswahl

Anwendungsbereich


• Geeignet für Kraftfahrzeug-Stromwandler, die die AEC-Q101-Konformität erfordern
• Ideal für DC/DC-Wandler in Transport- und Industrieanlagen
• Wird für Motorantriebs-Halbbrückenstufen in EV-Teilsystemen verwendet
• Kann für synchrone Gleichrichtung in Stromversorgungen verwendet werden
• Wird mit kompakten Oberflächenmontage-Baugruppen auf thermischen Leiterplatten verwendet

Welchen Temperatur-Extremen kann er im Betrieb standhalten?


Er ist für den Betrieb von -55 °C bis 175 °C ausgelegt und ermöglicht den Einsatz in Umgebungen mit hohen Temperaturen.

Welche Verpackungs- und Montageaspekte gelten für das Wärmemanagement?


Er wird in einem oberflächenmontierten TO‐252-Gehäuse geliefert, das die Wärmeableitung auf der Platine und die Standard-Reflow-Befestigung erleichtert.

Welche Gate-Spannungsgrenzwerte sollten beachtet werden, um eine Belastung des Geräts zu vermeiden?


Die maximale Gate-Source-Spannung beträgt 16 V, und Gate-Drive-Schaltkreise sollten diese Spannung nicht überschreiten, um Gate-Schäden zu vermeiden.

Welchen Kanal-Leitungsmodus und -Typ verwendet er?


Er verwendet eine N-Kanal-Konfiguration mit Enhancement-Modus, die für Low-Side- und High-Side-Schaltungen geeignet ist, wenn der Gate-Antrieb geeignet ist.

Verwandte Links

Exklusiv für Sie unsere neuesten Produkte und Angebote

E-Mail-Anschrift

Die personenbezogenen Daten, die Sie uns bei Anmeldung zur Verfügung stellen, werden gemäß der Datenschutzerklärung verarbeitet.