Infineon OptiMOS™ -T2 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 90 A 94 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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RS Best.-Nr.:
166-1127
Herst. Teile-Nr.:
IPD90N03S4L03ATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

90 A

Drain-Source-Spannung max.

30 V

Serie

OptiMOS™ -T2

Gehäusegröße

DPAK (TO-252)

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

4,4 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

2.2V

Gate-Schwellenspannung min.

1V

Verlustleistung max.

94 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

–16 V, +16 V

Breite

6.22mm

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Gate-Ladung typ. @ Vgs

60 nC @ 10 V

Länge

6.5mm

Transistor-Werkstoff

Si

Diodendurchschlagsspannung

1.3V

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Höhe

2.3mm

RoHS Status: Nicht zutreffend

Ursprungsland:
MY

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