Infineon OptiMOS-T2 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 90 A 94 W, 3-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:
214-9054
Herst. Teile-Nr.:
IPD90N04S403ATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

90A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

OptiMOS-T2

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3.2mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

94W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

51nC

Durchlassspannung Vf

1.3V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

6.22 mm

Höhe

2.3mm

Länge

6.5mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

AEC-Q101

Die neue OptiMOS-T2-Serie von Infineon verfügt über eine Reihe von energieeffizienten MOSFET-Transistoren mit CO2-Reduzierung und elektrischen Antrieben. Die neue OptiMOS-T2-Produktfamilie erweitert die bestehenden OptiMOS-T- und OptiMOS-Familien. OptiMOS-Produkte sind in Hochleistungsgehäusen erhältlich, um die anspruchsvollsten Anwendungen zu bewältigen und bieten volle Flexibilität auf engstem Raum. Diese Infineon Produkte sind zur erfüllen und übertreffen die Energieeffizienz und Leistungsdichte Anforderungen der geschärft werden nächste Generation Spannungsregelung Normen Computeranwendungen.

Er ist gemäß AEC Q101 für den Kfz-Bereich zugelassen

100 % Lawinenprüfung

Er hat eine Betriebstemperatur von 175 °C

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