Infineon OptiMOS-T2 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 100 A 150 W, 3-Pin TO-252

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 2500 Stück)*

1.660,00 €

(ohne MwSt.)

1.975,00 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 22. April 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
2500 +0,664 €1.660,00 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
215-2501
Herst. Teile-Nr.:
IPD100N06S403ATMA2
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

100A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

OptiMOS-T2

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3.5mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

150W

Durchlassspannung Vf

1.3V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

128nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der Infineon OptiMOS ®-T2-Leistungstransistor verfügt über eine maximale Ableitquellspannung von 100 V, N-Kanal, Kfz-MOSFET, mit DPAK(TO-252)-Gehäuse.

N-Kanal - Anreicherungstyp

MSL1 bis zu 260 °C Spitze Aufschmelzlötung

175 °C Betriebstemperatur

Extrem niedriger RDSon

Extrem hohe ID

Verwandte Links