Infineon OptiMOS-T2 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 100 A 150 W, 3-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:
215-2502
Herst. Teile-Nr.:
IPD100N06S403ATMA2
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

100A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

OptiMOS-T2

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3.5mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

150W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1.3V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

128nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der Infineon OptiMOS ®-T2-Leistungstransistor verfügt über eine maximale Ableitquellspannung von 100 V, N-Kanal, Kfz-MOSFET, mit DPAK(TO-252)-Gehäuse.

N-Kanal - Anreicherungstyp

MSL1 bis zu 260 °C Spitze Aufschmelzlötung

175 °C Betriebstemperatur

Extrem niedriger RDSon

Extrem hohe ID

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