Infineon OptiMOS-T2 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 80 A 79 W, 3-Pin TO-262

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RS Best.-Nr.:
214-9068
Herst. Teile-Nr.:
IPI80N06S4L07AKSA2
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

80A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

OptiMOS-T2

Gehäusegröße

TO-262

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

6.7mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

79W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.3V

Gate-Source-spannung max Vgs

16 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

58nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

10.2mm

Breite

4.4 mm

Höhe

23.45mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

AEC-Q101

Die neue OptiMOS-T2-Serie von Infineon verfügt über eine Reihe von energieeffizienten MOSFET-Transistoren mit CO2-Reduzierung und elektrischen Antrieben. Die neue OptiMOS-T2-Produktfamilie erweitert die bestehenden OptiMOS-T- und OptiMOS-Familien. OptiMOS-Produkte sind in Hochleistungsgehäusen erhältlich, um die anspruchsvollsten Anwendungen zu bewältigen und bieten volle Flexibilität auf engstem Raum. Diese Infineon Produkte sind zur erfüllen und übertreffen die Energieeffizienz und Leistungsdichte Anforderungen der geschärft werden nächste Generation Spannungsregelung Normen Computeranwendungen.

Das Produkt ist AEC Q101-zertifiziert

Er hat eine Betriebstemperatur von 175 °C

100 % Lawinenprüfung

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