Infineon OptiMOS-T2 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 45 A, 3-Pin TO-263

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RS Best.-Nr.:
214-9019
Herst. Teile-Nr.:
IPB45N06S4L08ATMA3
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

45A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

OptiMOS-T2

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

7.9mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Die Infineon OptiMOS-T2-Produktfamilie erweitert die bestehenden OptiMOS-T- und OptiMOS-Familien. Diese OptiMOS-Produkte sind in Hochleistungsgehäusen erhältlich, um die anspruchsvollsten Anwendungen zu bewältigen und bieten volle Flexibilität auf engstem Raum. Die Infineon Produkte wurden entwickelt, um die Anforderungen an Energieeffizienz und Leistungsdichte der geschärften Spannungsregelungsstandards der nächsten Generation in Computeranwendungen zu erfüllen und zu übertreffen. Dies sind robuste Gehäuse mit überragender Qualität und Zuverlässigkeit.

Das Produkt ist AEC Q101-zertifiziert

100 % Lawinenprüfung

Er hat eine Betriebstemperatur von 175 °C

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