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    Infineon OptiMOS™ -T2 IPB45N06S4L08ATMA3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 45 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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    Verpackungsoptionen:
    RS Best.-Nr.:
    214-9020
    Herst. Teile-Nr.:
    IPB45N06S4L08ATMA3
    Marke:
    Infineon

    Eigenschaft
    Wert
    Channel-TypN
    Dauer-Drainstrom max.45 A
    Drain-Source-Spannung max.60 V
    SerieOptiMOS™ -T2
    GehäusegrößeD2PAK (TO-263)
    Montage-TypSMD
    Pinanzahl3
    Drain-Source-Widerstand max.0,0079 O
    Channel-ModusEnhancement
    Gate-Schwellenspannung max.2.2V
    Anzahl der Elemente pro Chip1
    Transistor-WerkstoffSi

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