Infineon OptiMOS™ -T2 IPB45N06S4L08ATMA3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 45 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)
- RS Best.-Nr.:
- 214-9020
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB45N06S4L08ATMA3
- Marke:
- Infineon
2980 lieferbar innerhalb von 4 Werktag(en) (Mo-Fr).
Nicht als Expresslieferung erhältlich
Preis pro Stück (In einer VPE à 10)
1,253 €
(ohne MwSt.)
1,491 €
(inkl. MwSt.)
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 1,253 € | 12,53 € |
| 50 - 90 | 1,19 € | 11,90 € |
| 100 - 240 | 1,165 € | 11,65 € |
| 250 - 490 | 1,09 € | 10,90 € |
| 500 + | 1,015 € | 10,15 € |
*Bitte VPE beachten
- RS Best.-Nr.:
- 214-9020
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB45N06S4L08ATMA3
- Marke:
- Infineon
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Die Infineon OptiMOS-T2-Produktfamilie erweitert die bestehenden OptiMOS-T- und OptiMOS-Familien. Diese OptiMOS-Produkte sind in Hochleistungsgehäusen erhältlich, um die anspruchsvollsten Anwendungen zu bewältigen und bieten volle Flexibilität auf engstem Raum. Die Infineon Produkte wurden entwickelt, um die Anforderungen an Energieeffizienz und Leistungsdichte der geschärften Spannungsregelungsstandards der nächsten Generation in Computeranwendungen zu erfüllen und zu übertreffen. Dies sind robuste Gehäuse mit überragender Qualität und Zuverlässigkeit.
Das Produkt ist AEC Q101-zertifiziert
100 % Lawinenprüfung
Er hat eine Betriebstemperatur von 175 °C
100 % Lawinenprüfung
Er hat eine Betriebstemperatur von 175 °C
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 45 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 60 V |
| Serie | OptiMOS™ -T2 |
| Gehäusegröße | D2PAK (TO-263) |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 0,0079 O |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2.2V |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Transistor-Werkstoff | Si |
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