Infineon OptiMOS™ -T2 IPI45N06S409AKSA2 N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 45 A, 3-Pin I2PAK (TO-262)
- RS Best.-Nr.:
- 218-3063
- Herst. Teile-Nr.:
- IPI45N06S409AKSA2
- Marke:
- Infineon
490 lieferbar innerhalb von 4 Werktag(en) (Mo-Fr).
Nicht als Expresslieferung erhältlich
Preis pro Stück (In einer VPE à 10)
1,438 €
(ohne MwSt.)
1,711 €
(inkl. MwSt.)
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 1,438 € | 14,38 € |
| 50 - 90 | 1,366 € | 13,66 € |
| 100 - 240 | 1,308 € | 13,08 € |
| 250 - 490 | 1,252 € | 12,52 € |
| 500 + | 1,165 € | 11,65 € |
*Bitte VPE beachten
- RS Best.-Nr.:
- 218-3063
- Herst. Teile-Nr.:
- IPI45N06S409AKSA2
- Marke:
- Infineon
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Der N-Kanal-MOSFET der Infineon OptiMOS TM-T2-Serie für die Automobilindustrie, integriert in das I2PAK-Gehäuse (TO-262).
N-Kanal - Anreicherungstyp
MSL1 bis zu 260 °C Spitze Aufschmelzlötung
175 °C Betriebstemperatur
MSL1 bis zu 260 °C Spitze Aufschmelzlötung
175 °C Betriebstemperatur
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 45 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 60 V |
| Serie | OptiMOS™ -T2 |
| Gehäusegröße | I2PAK (TO-262) |
| Montage-Typ | THT |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 0,0092 Ω |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Transistor-Werkstoff | Si |
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