Infineon OptiMOS-T2 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 80 A 79 W, 3-Pin TO-262
- RS Best.-Nr.:
- 214-9065
- Herst. Teile-Nr.:
- IPI80N06S407AKSA2
- Marke:
- Infineon
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Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 0,694 € | 34,70 € |
| 100 - 200 | 0,676 € | 33,80 € |
| 250 - 450 | 0,658 € | 32,90 € |
| 500 - 950 | 0,641 € | 32,05 € |
| 1000 + | 0,625 € | 31,25 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 214-9065
- Herst. Teile-Nr.:
- IPI80N06S407AKSA2
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 80A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | TO-262 | |
| Serie | OptiMOS-T2 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 7.4mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 43nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 79W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 23.45mm | |
| Breite | 4.4 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 10.2mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 80A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße TO-262 | ||
Serie OptiMOS-T2 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 7.4mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 43nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 79W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 23.45mm | ||
Breite 4.4 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 10.2mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Die neue OptiMOS-T2-Serie von Infineon verfügt über eine Reihe von energieeffizienten MOSFET-Transistoren mit CO2-Reduzierung und elektrischen Antrieben. Die neue OptiMOS-T2-Produktfamilie erweitert die bestehenden OptiMOS-T- und OptiMOS-Familien. OptiMOS-Produkte sind in Hochleistungsgehäusen erhältlich, um die anspruchsvollsten Anwendungen zu bewältigen und bieten volle Flexibilität auf engstem Raum. Diese Infineon Produkte sind zur erfüllen und übertreffen die Energieeffizienz und Leistungsdichte Anforderungen der geschärft werden nächste Generation Spannungsregelung Normen Computeranwendungen.
Das Produkt ist AEC Q101-zertifiziert
Er hat eine Betriebstemperatur von 175 °C
100 % Lawinenprüfung
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