Infineon OptiMOS™ -T2 IPP80N06S407AKSA2 N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 80 A, 3-Pin TO-220

RS Best.-Nr.:: 215-2548
Herst. Teile-Nr.:: IPP80N06S407AKSA2
Marke:: Infineon

Infineon OptiMOS™ -T2 IPP80N06S407AKSA2 N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 80 A, 3-Pin TO-220

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Preis pro Stück (In einer VPE à 10)

1,839 €

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2,188 €

(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück	Pro Packung*
10 - 40	1,839 €	18,39 €
50 - 90	1,748 €	17,48 €
100 - 240	1,573 €	15,73 €
250 - 490	1,414 €	14,14 €
500 +	1,346 €	13,46 €

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RS Best.-Nr.:: 215-2548
Herst. Teile-Nr.:: IPP80N06S407AKSA2
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Datasheet - IPP80N06S407AKSA2

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Die Infineon OptiMOS ® -T2 Power-Transistor-Serie hat eine maximale 60-V-Drain-Quellspannung mit TO-220-Gehäusetyp. Es handelt sich um einen N-Kanal mit max. 7,1 mΩ maximalem Drain-Source-Widerstand.

N-Kanal - Anreicherungstyp
AEC Q101-zertifiziert
MSL1 bis zu 260 °C Spitze Aufschmelzlötung
175 °C Betriebstemperatur
Green Product (RoHS-konform)
100 % Lawinenprüfung

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	80 A
Drain-Source-Spannung max.	60 V
Serie	OptiMOS™ -T2
Gehäusegröße	TO-220
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	0,0071 Ω
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Transistor-Werkstoff	Si

Infineon OptiMOS™ -T2 IPP80N06S407AKSA2 N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 80 A, 3-Pin TO-220

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