Infineon OptiMOS-T2 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 80 A 79 W, 3-Pin TO-220

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)*

46,15 €

(ohne MwSt.)

54,90 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 29. Januar 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Stange*
50 - 1000,923 €46,15 €
150 - 2000,888 €44,40 €
250 +0,877 €43,85 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
215-2547
Herst. Teile-Nr.:
IPP80N06S407AKSA2
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

80A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

TO-220

Serie

OptiMOS-T2

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

7.1mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

79W

Durchlassspannung Vf

1.3V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

56nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Die Infineon OptiMOS ® -T2 Power-Transistor-Serie hat eine maximale 60-V-Drain-Quellspannung mit TO-220-Gehäusetyp. Es handelt sich um einen N-Kanal mit max. 7,1 mΩ maximalem Drain-Source-Widerstand.

N-Kanal - Anreicherungstyp

AEC Q101-zertifiziert

MSL1 bis zu 260 °C Spitze Aufschmelzlötung

175 °C Betriebstemperatur

Green Product (RoHS-konform)

100 % Lawinenprüfung

Verwandte Links