Infineon OptiMOS™ 3 IPP042N03LGXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 30 V / 70 A 79 W, 3-Pin TO-220

RS Best.-Nr.:: 145-8904
Herst. Teile-Nr.:: IPP042N03LGXKSA1
Marke:: Infineon

Infineon OptiMOS™ 3 IPP042N03LGXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 30 V / 70 A 79 W, 3-Pin TO-220

1750 lieferbar innerhalb von 4 Werktag(en) (Mo-Fr).

Nicht als Expresslieferung erhältlich

Preis pro Stück (In einer Stange von 50)

0,712 €

(ohne MwSt.)

0,847 €

(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück	Pro Stange*
50 - 50	0,712 €	35,60 €
100 - 200	0,669 €	33,45 €
250 +	0,64 €	32,00 €

*Bitte VPE beachten

RS Best.-Nr.:: 145-8904
Herst. Teile-Nr.:: IPP042N03LGXKSA1
Marke:: Infineon

Mehr Infos und technische Dokumente

Rechtliche Anforderungen

Ursprungsland:: CN

Produktdetails

Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS™3, bis zu 40 V

optimos™ Produkte sind erhältlich in hohe Performance Packages zur Bewältigung der anspruchsvollsten Anwendungen für die volle Flexibilität bei eingeschränkten Platzverhältnissen. Diese Infineon Produkte sind zur erfüllen und übertreffen die Energieeffizienz und Leistungsdichte Anforderungen der geschärft werden nächste Generation Spannungsregelung Normen Computeranwendungen.

Schnelle Schalt-MOSFET für SMPS
Optimierte Technik für DC/DC-Wandler
Zugelassen gemäß JEDEC1) für Ziel Anwendungen
N-Kanal, Logikebene
Ausgezeichnete gate-ladung x R DS(ON) -Produkt (BFM)
Sehr geringer Widerstand R DS(ON)
Pb-frei Beschichtung

MOSFET-Transistoren, Infineon

Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	70 A
Drain-Source-Spannung max.	30 V
Serie	OptiMOS™ 3
Gehäusegröße	TO-220
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	6 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	2.2V
Gate-Schwellenspannung min.	1V
Verlustleistung max.	79 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs	18 nC @ 4,5 V
Länge	10.36mm
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Transistor-Werkstoff	Si
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Breite	4.57mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Höhe	15.95mm
Diodendurchschlagsspannung	1.1V