Infineon Einfach OptiMOS™ 3 N-Kanal 1, Durchsteckmontage MOSFET 80 V Erweiterung / 70 A 100 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 145-9314
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP100N08N3GXKSA1
- Marke:
- Infineon
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
- RS Best.-Nr.:
- 145-9314
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP100N08N3GXKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 70A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Serie | OptiMOS™ 3 | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 18.2mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 100W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V, -20V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 10.36mm | |
| Breite | 4.57mm | |
| Höhe | 15.95mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 70A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Serie OptiMOS™ 3 | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 18.2mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 100W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V, -20V | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 10.36mm | ||
Breite 4.57mm | ||
Höhe 15.95mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
- Ursprungsland:
- CN
Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, 60 to 80V
OptiMOS™ products are available in high performance packages to tackle the most challenging applications giving full flexibility in limited spaces. These Infineon products are designed to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements of the sharpened next generation voltage regulation standards in computing applications.
Fast switching MOSFET for SMPS
Optimized technology for DC/DC converters
Qualified according to JEDEC1) for target applications
N-channel, logic level
Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)
Very low on-resistance R DS(on)
Pb-free plating
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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