Infineon Einfach OptiMOS™ 3 Typ N-Kanal 1, Durchsteckmontage MOSFET 80 V Erweiterung / 70 A, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 145-9314
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP100N08N3GXKSA1
- Marke:
- Infineon
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
- RS Best.-Nr.:
- 145-9314
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- IPP100N08N3GXKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 70A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Serie | OptiMOS™ 3 | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 18.2mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20/20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Breite | 4.57 mm | |
| Länge | 10.36mm | |
| Höhe | 15.95mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 70A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Serie OptiMOS™ 3 | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 18.2mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20/20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Breite 4.57 mm | ||
Länge 10.36mm | ||
Höhe 15.95mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
- Ursprungsland:
- CN
Infineon OptiMOSTM3 Leistungs-MOSFETs, 60 bis 80 V
OptiMOSTM-Produkte sind in Hochleistungsgehäusen erhältlich, um die anspruchsvollsten Anwendungen zu bewältigen und volle Flexibilität auf begrenztem Raum zu bieten. Diese Infineon-Produkte wurden entwickelt, um die Anforderungen an Energieeffizienz und Leistungsdichte der verbesserten Spannungsregelungsstandards der nächsten Generation in Computeranwendungen zu erfüllen und zu übertreffen.
Schnell schaltender MOSFET für SMPS
Optimierte Technologie für DC/DC-Wandler
Qualifiziert gemäß JEDEC1) für Zielanwendungen
N-Kanal, Logikpegel
Ausgezeichnete Gate-Ladung x R DS(on)-Produkt (FOM)
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Pb-freie Beschichtung
MOSFET-Transistoren, Infineon
Infineon bietet ein großes und umfassendes Portfolio an MOSFET-Geräten, das die Familien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET umfasst. Sie bieten die beste Leistung in ihrer Klasse für mehr Effizienz, Leistungsdichte und Kosteneffizienz. Designs, die eine hohe Qualität und verbesserte Schutzfunktionen erfordern, profitieren von AEC-Q101-Kfz-qualifizierten MOSFETs nach Industriestandard.
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