Infineon OptiMOS™ 3 IPP100N08N3GXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 80 V / 70 A 100 W, 3-Pin TO-220

RS Best.-Nr.:: 892-2292
Herst. Teile-Nr.:: IPP100N08N3GXKSA1
Marke:: Infineon

Infineon OptiMOS™ 3 IPP100N08N3GXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 80 V / 70 A 100 W, 3-Pin TO-220

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1,415 €

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1,684 €

(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück	Pro Packung*
10 - 40	1,415 €	14,15 €
50 - 190	0,988 €	9,88 €
200 - 490	0,832 €	8,32 €
500 +	0,73 €	7,30 €

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RS Best.-Nr.:: 892-2292
Herst. Teile-Nr.:: IPP100N08N3GXKSA1
Marke:: Infineon

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Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS™3, 60 bis 80 V

optimos™ Produkte sind erhältlich in hohe Performance Packages zur Bewältigung der anspruchsvollsten Anwendungen für die volle Flexibilität bei eingeschränkten Platzverhältnissen. Diese Infineon Produkte sind zur erfüllen und übertreffen die Energieeffizienz und Leistungsdichte Anforderungen der geschärft werden nächste Generation Spannungsregelung Normen Computeranwendungen.

Schnelle Schalt-MOSFET für SMPS
Optimierte Technik für DC/DC-Wandler
Zugelassen gemäß JEDEC1) für Ziel Anwendungen
N-Kanal, Logikebene
Ausgezeichnete gate-ladung x R DS(ON) -Produkt (BFM)
Sehr geringer Widerstand R DS(ON)
Pb-frei Beschichtung

MOSFET-Transistoren, Infineon

Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	70 A
Drain-Source-Spannung max.	80 V
Serie	OptiMOS™ 3
Gehäusegröße	TO-220
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	18,2 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	3.5V
Gate-Schwellenspannung min.	2V
Verlustleistung max.	100 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Transistor-Werkstoff	Si
Gate-Ladung typ. @ Vgs	26 nC @ 10 V
Breite	4.57mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Länge	10.36mm
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Höhe	15.95mm
Diodendurchschlagsspannung	1.2V