Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, THT MOSFET 80 V / 100 A 42 W, 3-Pin TO-220 FP

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RS Best.-Nr.:
165-8119
Herst. Teile-Nr.:
IPA028N08N3GXKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

100 A

Drain-Source-Spannung max.

80 V

Gehäusegröße

TO-220 FP

Serie

OptiMOS™ 3

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

2,8 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

3.5V

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Verlustleistung max.

42 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Transistor-Werkstoff

Si

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Ursprungsland:
CN

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