Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, THT MOSFET 80 V / 100 A 42 W, 3-Pin TO-220 FP

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RS Best.-Nr.:
165-8119
Herst. Teile-Nr.:
IPA028N08N3GXKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

100 A

Drain-Source-Spannung max.

80 V

Gehäusegröße

TO-220 FP

Serie

OptiMOS™ 3

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

2,8 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

3.5V

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Verlustleistung max.

42 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Transistor-Werkstoff

Si

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Ursprungsland:
CN

Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS™3, 60 bis 80 V


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Schnelle Schalt-MOSFET für SMPS
Optimierte Technik für DC/DC-Wandler
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Ausgezeichnete gate-ladung x R DS(ON) -Produkt (BFM)
Sehr geringer Widerstand R DS(ON)
Pb-frei Beschichtung


MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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