Infineon OptiMOS™ 2 N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 100 A 300 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 165-8135
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP05CN10NGXKSA1
- Marke:
- Infineon
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Zwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)*
164,75 €
(ohne MwSt.)
196,05 €
(inkl. MwSt.)
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Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 3,295 € | 164,75 € |
| 100 - 200 | 3,131 € | 156,55 € |
| 250 + | 2,818 € | 140,90 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 165-8135
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP05CN10NGXKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 100 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 100 V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | OptiMOS™ 2 | |
| Montage-Typ | THT | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 5,4 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Verlustleistung max. | 300 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Breite | 4.57mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 136 nC @ 10 V | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Länge | 10.36mm | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Höhe | 15.95mm | |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 100 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 100 V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie OptiMOS™ 2 | ||
Montage-Typ THT | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 5,4 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Verlustleistung max. 300 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Breite 4.57mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 136 nC @ 10 V | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Länge 10.36mm | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Höhe 15.95mm | ||
Diodendurchschlagsspannung 1.2V | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
- Ursprungsland:
- MY
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