Infineon OptiMOS™ 2 N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 100 A 300 W, 3-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:
165-8135
Herst. Teile-Nr.:
IPP05CN10NGXKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

100 A

Drain-Source-Spannung max.

100 V

Gehäusegröße

TO-220

Serie

OptiMOS™ 2

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

5,4 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Verlustleistung max.

300 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

4.57mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

136 nC @ 10 V

Länge

10.36mm

Transistor-Werkstoff

Si

Höhe

15.95mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Diodendurchschlagsspannung

1.2V

Ursprungsland:
MY

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