Infineon OptiMOS™ 5 N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 45 A 83 W, 3-Pin TO-220

RS Best.-Nr.:: 892-2276
Herst. Teile-Nr.:: IPP060N06NAKSA1
Marke:: Infineon

Infineon OptiMOS™ 5 N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 45 A 83 W, 3-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:: 892-2276
Herst. Teile-Nr.:: IPP060N06NAKSA1
Marke:: Infineon

IPP060N06N, OptiMOS Power-Transistor
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	45 A
Drain-Source-Spannung max.	60 V
Gehäusegröße	TO-220
Serie	OptiMOS™ 5
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	9 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	3.3V
Gate-Schwellenspannung min.	2.1V
Verlustleistung max.	83 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Länge	10.36mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	27 nC @ 10 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Transistor-Werkstoff	Si
Breite	4.57mm
Diodendurchschlagsspannung	1.2V
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Höhe	15.95mm

Infineon OptiMOS™ 5 N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 45 A 83 W, 3-Pin TO-220

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Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS™5

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