Wartung der Website - 21. - 23. Juni 2024
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Infineon OptiMOS™ 5 IPP060N06NAKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 45 A 83 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 892-2276
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP060N06NAKSA1
- Marke:
- Infineon
Voraussichtlich ab 20.03.2025 verfügbar.
Nicht als Expresslieferung erhältlich
Preis pro Stück (In einer VPE à 10)
1,206 €
(ohne MwSt.)
1,435 €
(inkl. MwSt.)
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 1,206 € | 12,06 € |
| 50 - 90 | 1,146 € | 11,46 € |
| 100 - 240 | 1,097 € | 10,97 € |
| 250 - 490 | 1,05 € | 10,50 € |
| 500 + | 0,977 € | 9,77 € |
*Bitte VPE beachten
- RS Best.-Nr.:
- 892-2276
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP060N06NAKSA1
- Marke:
- Infineon
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS™5
MOSFET-Transistoren, Infineon
Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 45 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 60 V |
| Gehäusegröße | TO-220 |
| Serie | OptiMOS™ 5 |
| Montage-Typ | THT |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 9 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 3.3V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2.1V |
| Verlustleistung max. | 83 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C |
| Länge | 10.36mm |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 27 nC @ 10 V |
| Breite | 4.57mm |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Höhe | 15.95mm |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.2V |
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