Infineon OptiMOS™ 5 IPP060N06NAKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 45 A 83 W, 3-Pin TO-220

RS Best.-Nr.:: 892-2276
Herst. Teile-Nr.:: IPP060N06NAKSA1
Marke:: Infineon

Infineon OptiMOS™ 5 IPP060N06NAKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 45 A 83 W, 3-Pin TO-220

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Preis pro Stück (In einer VPE à 10)

1,195 €

(ohne MwSt.)

1,422 €

(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück	Pro Packung*
10 - 40	1,195 €	11,95 €
50 - 90	1,136 €	11,36 €
100 - 240	1,087 €	10,87 €
250 - 490	1,039 €	10,39 €
500 +	0,967 €	9,67 €

*Bitte VPE beachten

RS Best.-Nr.:: 892-2276
Herst. Teile-Nr.:: IPP060N06NAKSA1
Marke:: Infineon

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Produktdetails

Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS™5

MOSFET-Transistoren, Infineon

Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	45 A
Drain-Source-Spannung max.	60 V
Gehäusegröße	TO-220
Serie	OptiMOS™ 5
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	9 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	3.3V
Gate-Schwellenspannung min.	2.1V
Verlustleistung max.	83 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Breite	4.57mm
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Länge	10.36mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Transistor-Werkstoff	Si
Gate-Ladung typ. @ Vgs	27 nC @ 10 V
Höhe	15.95mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Diodendurchschlagsspannung	1.2V