Infineon OptiMOS -T2 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 120 A 278 W, 3-Pin IPB120N08S403ATMA1 TO-263

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214-4366
Herst. Teile-Nr.:
IPB120N08S403ATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

120A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

OptiMOS -T2

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.5mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

278W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

128nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.3V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

4.5mm

Breite

9.27 mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

10.02mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Dieser Infineon OptiMOS T2 MOSFET ist zu 100 % auf Avalanche geprüft und RoHS-konform.

Es ist AEC Q101-zertifiziert

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