Infineon OptiMOS-T2 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 50 A 50 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 218-3044
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD50N06S4L12ATMA2
- Marke:
- Infineon
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 50A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Serie | OptiMOS-T2 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 12mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 30nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 16V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 50W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 6.73mm | |
| Breite | 6.22mm | |
| Höhe | 2.41mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 50A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Serie OptiMOS-T2 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 12mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 30nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 16V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 50W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 6.73mm | ||
Breite 6.22mm | ||
Höhe 2.41mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Infineon OptiMOS-T2 Serie MOSFET, 60 V maximale Drain-Source-Spannung, 50 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – IPD50N06S4L12ATMA2
Dieser MOSFET ist ein 60-V-N-Kanal-Erweiterungsgerät, das für Hochstromschaltungen in anspruchsvollen Umgebungen entwickelt wurde. Es arbeitet in einem breiten Umgebungstemperaturbereich und ist für oberflächenmontierte Baugruppen vorgesehen, bei denen eine effiziente Leitfähigkeit und eine kompakte Verpackung erforderlich sind.
Merkmale und Vorteile:
• Niedriger Einschaltwiderstand von 12 mΩ reduziert Leitungsverluste
• Maximaler kontinuierlicher Ablassstrom von 50 A unterstützt schwere Lasten
• 50 W Verlustleistung bewältigt thermische Belastungen
• Gate-Ladung von 30 nC ermöglicht schnellere Schaltübergänge
• 16-V-Gate-Nennwert ermöglicht robuste Gate-Drive-Margen
• Die AEC-Q101-Qualifizierung gewährleistet die Eignung für den Einsatz im Automobilbereich
• Maximaler kontinuierlicher Ablassstrom von 50 A unterstützt schwere Lasten
• 50 W Verlustleistung bewältigt thermische Belastungen
• Gate-Ladung von 30 nC ermöglicht schnellere Schaltübergänge
• 16-V-Gate-Nennwert ermöglicht robuste Gate-Drive-Margen
• Die AEC-Q101-Qualifizierung gewährleistet die Eignung für den Einsatz im Automobilbereich
Anwendungsbereich
• Geeignet für DC/DC-Wandler in der Automobilelektronik
• Ideal für die Leistungsschaltung in Zughilfsanlagen
• Wird für Hochstrommotor-Treiberstufen verwendet
• Kann für Batteriemanagement und Schutzschaltungen verwendet werden
• Geeignet für oberflächenmontierte Stromversorgungsmodule auf kompakten Leiterplatten
• Ideal für die Leistungsschaltung in Zughilfsanlagen
• Wird für Hochstrommotor-Treiberstufen verwendet
• Kann für Batteriemanagement und Schutzschaltungen verwendet werden
• Geeignet für oberflächenmontierte Stromversorgungsmodule auf kompakten Leiterplatten
Was sind die Spannungsgrenzen des Geräts für Drain und Gate?
Der Drain-to-Source hält bis zu 60 V stand, während der Gate-to-Source für 16 V ausgelegt ist.
Wie verhält sich das Gerät bei extremen Umgebungstemperaturen?
Er ist spezifiziert für den Betrieb bis zu -55 °C und bis zu 175 °C in unterschiedlichen thermischen Umgebungen.
Welches Gehäuse und welche Montageform wird für die Leiterplattenmontage verwendet?
Er wird in einem TO-252-Gehäuse geliefert, das für die Oberflächenmontage konzipiert ist.
Welcher Kanaltyp und welcher Modus bestimmen das Leitverhalten?
Es verwendet eine N-Kanal-Struktur, die im Enhancement-Modus konfiguriert ist, um eine kontrollierte Schaltung zu ermöglichen.
Welche physischen Grundflächenaspekte beeinflussen das thermische Layout?
Die Gehäuseabmessungen sind kompakt mit einer Höhe von 2,41 mm, einer Länge von 6,73 mm und einer Breite von 6,22 mm, um eine dichte Platzierung der Leiterplatte zu ermöglichen.
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